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2023年7月11日——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）今日宣布，公司在針對美商科林研發(fā)股份公司（Lam Research Corporation，以下簡稱“科林研發(fā)”）提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴。

在上海市高級人民法院2023年6月30日的終審判決中，法院命令科林研發(fā)銷毀其非法獲取的與中微公司等離子刻蝕機(jī)有關(guān)的一份技術(shù)文件和兩張照片。法院還禁止科林研發(fā)及科林研發(fā)的兩名個人被告披露、使用或允許他人使用中微公司的專有的技術(shù)秘密。法院還命令科林研發(fā)為其侵犯商業(yè)秘密向中微公司支付賠償金和法律費(fèi)用。

中微公司2010年12月向上海市第一中級人民法院就科林研發(fā)侵犯公司商業(yè)秘密案提起一審訴訟，并于2017年3月贏得一審訴訟。隨后，該案件被上訴至上海市高級人民法院。在上海市高級人民法院作出二審判決前，中微公司為保護(hù)與捍衛(wèi)自身權(quán)益進(jìn)行了長達(dá)6年的斗爭，并取得終審勝利。

什么是等離子體刻蝕設(shè)備？

以下內(nèi)容來自中微半導(dǎo)體官網(wǎng)介紹

刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達(dá)上百個，是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。

中微公司專注于研發(fā)干法刻蝕（等離子體刻蝕）設(shè)備，用于在晶圓上加工微觀結(jié)構(gòu)。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據(jù)所要去除材料和加工器件結(jié)構(gòu)的不同，可分為電介質(zhì)刻蝕、導(dǎo)體刻蝕和硅通孔刻蝕。新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設(shè)備帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，同時(shí)對性能的要求（刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性）越來越高。中微公司憑借一系列刻蝕設(shè)備組合處于刻蝕創(chuàng)新技術(shù)的前沿，幫助芯片制造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進(jìn)的微觀結(jié)構(gòu)，具有成本優(yōu)勢。中微公司自主研發(fā)生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備已被眾多領(lǐng)先客戶的芯片生產(chǎn)線所采用，用于制造先進(jìn)的半導(dǎo)體器件，以推動人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和機(jī)器人技術(shù)的發(fā)展。這些半導(dǎo)體器件還能提供邏輯和存儲器，以應(yīng)用于消費(fèi)者電子產(chǎn)品、5G網(wǎng)絡(luò)、功能強(qiáng)大的服務(wù)器、自動駕駛汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

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